本篇文章379字，读完约1分钟

证券时报网络。1月24日，

21日，《美国科学》杂志发表了eecs彭练矛和张志勇在碳纳米管电子学领域取得的世界级突破:首次制备了栅极长度为5纳米的高性能碳纳米管晶体管，并证明其性能超过了相同尺寸的硅基cmos场效应晶体管，将晶体管性能推向了理论极限。

据《科技日报》24日报道，由于主流硅基cmos技术正面临尺寸缩小的限制，20多年来，科学界和工业界一直在探索各种具有新材料和新原理的晶体管技术，但还没有实现10纳米新cmos器件的机制。彭练矛教授说，经过10多年的研究，他的研究小组开发出了一种未掺杂的制备方法，并研制出了一种10纳米碳纳米管顶栅cmos场效应晶体管，其P型和N型器件在较低的工作电压(0.4v)下性能优于目前最好的硅基cmos。现在，他们已经克服了尺寸减小的技术限制，成功地开发了栅极长度为5纳米的碳纳米晶体管。

我国首次制备出5纳米栅长高性能碳纳米晶体管

(证券时报新闻中心)

来源：荆州新闻

标题：我国首次制备出5纳米栅长高性能碳纳米晶体管

地址：http://www.jinchengblades.com/jzxw/12202.html